中文同义词:
氮化铝;氮化铝热电偶保护电子管(一端闭合的):OD (MM), 16:ID (MM), 9;氮化铝热电偶保护电子管(一端闭合的):OD (MM), 10:ID (MM), 7;棒状, 圆形氮化铝: DIAMETER (MM), 10;棒状, 圆形氮化铝: DIAMETER (MM), 22;氮化铝坩埚, 圆柱状的,扁平的:HEIGHT X OD X ID (MM), 37;氮化铝, 98+%;氮化铝电子管(两端开口的):OD (MM), 16:ID (MM), 9
英文同义词:
AlN;Aluminum nitride (AlN);Aluminum nitride Thermocouple Protective Tube (one end closed):OD (mm), 16:ID (mm), 9;ALN A;ALN AT;ALN B;ALN C;ALUMINUM NITRIDE
相关类别:
轻金属;催化和无机化学;氮化物;粉体;铝;通用试剂;Inorganics;镀膜材料;13: Al;Ceramics;Materials Science;Nanomaterials;metal nitride;氮化物粉体-氮化铝;氮化物-氮化铝;氮化物-氮化硼;金属粉末;化工原料;Nanoparticles: Oxides, Nitrides, and Other CeramicsMetal and Ceramic Science;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;NitridesNanomaterials;Metal and Ceramic Science;Nitrides
密度
3.26 g/mL at 25 °C (lit.)
溶解度
Soluble in mineral acids.
晶体结构
Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
InChIKey
PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N
CAS 数据库
24304-00-5(CAS DataBase Reference)
NIST化学物质信息
Aluminum nitride(24304-00-5)
EPA化学物质信息
Aluminum nitride (AlN) (24304-00-5)
理化性质
氮化铝，共价键化合物，是原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色。氮化铝(AlN)是一种人工合成矿物，并非天然存在于大自然中。AlN的晶体结构类型为六方纤锌矿型，具有密度小(3.26g/cm3)、强度高、耐热性好（约3060℃分解）、热导率高、耐腐蚀等优点。
氮化铝（AlN）最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。AlN+3H2O==催化剂===Al（OH）3↓+NH3↑
使用历史
氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为 70-210 W‧m−1‧K−1，而单晶体更可高达 275 W‧m−1‧K−1 )，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮化铝可通过氧化铝和碳的还原作用或直接氮化金属铝来制备。氮化铝是一种以共价键相连的物质，它有六角晶体结构，与硫化锌、纤维锌矿同形。此结构的空间组为P63mc。要以热压及焊接式才可制造出工业级的物料。物质在惰性的高温环境中非常稳定。在空气中，温度高于700℃时，物质表面会发生氧化作用。在室温下，物质表面仍能探测到5-10纳米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保护物质。但当温度高于1370℃时，便会发生大量氧化作用。直至980℃，氮化铝在氢气及二氧化碳中仍相当稳定。矿物酸通过侵袭粒状物质的界限使它慢慢溶解，而强碱则通过侵袭粒状氮化铝使它溶解。物质在水中会慢慢水解。氮化铝可以抵抗大部分融解的盐的侵袭，包括氯化物及冰晶石〔即六氟铝酸钠〕。
特性
(1) 热导率高(约320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2) 热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3) 各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
(4) 机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
(5) 纯度高；
(6) 光传输特性好；
(7) 无毒；
(8) 可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。
应用
有报告指现今大部分研究都在开发一种以半导体（氮化镓或合金铝氮化镓）为基础且运行於紫外线的发光二极管，而光的波长为250纳米。在2006年5月有报告指一个无效率的二极管可发出波长为210纳米的光波[1]。以真空紫外线反射率量出单一的氮化铝晶体上有6.2eV的能隙。理论上，能隙允许一些波长为大约200纳米的波通过。但在商业上实行时，需克服不少困难。氮化铝应用於光电工程，包括在光学储存介面及电子基质作诱电层，在高的导热性下作晶片载体，以及作军事用途。
由于氮化铝压电效应的特性，氮化铝晶体的外延性伸展也用於表面声学波的探测器。而探测器则会放置於矽晶圆上。只有非常少的地方能可靠地制造这些细的薄膜。
利用氮化铝陶瓷具有较高的室温和高温强度，膨胀系数小，导热性好的特性，可以用作高温结构件热交换器材料等。
利用氮化铝陶瓷能耐铁、铝等金属和合金的溶蚀性能，可用作Al、Cu、Ag、Pb等金属熔炼的坩埚和浇铸模具材料。
氮化铝陶瓷
氮化铝陶瓷是一种高技术新型陶瓷。氮化铝基板具有极高的热导率，无毒、耐腐蚀、耐高温，热化学稳定性好等特点,是大规模集成电路，半导体模块电路和大功率器件的理想封装材料、散热材料、电路元件及互连线承载体。也是提高高分子材料热导率和力学性能的最佳添加料，氮化铝陶瓷还可用作熔炼有色金属和半导体材料砷化镓的坩埚、热电偶的保护管、高温绝缘件、微波介电材料、耐高温、耐腐蚀结构陶瓷及透明氮化铝微波陶瓷制品，用作高导热陶瓷生产原料及树脂填料等。氮化铝是电绝缘体，介电性能良好。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。
生产方法
1. 将氨和铝直接进行氮化反应，经粉碎、分级制得氮化铝粉末。或者将氧化铝和炭充分混合,在电炉中于1700℃还原制得氮化铝。
2. 将高纯度铝粉脱脂(用乙醚抽提或在氮气流中加热到150℃)后，放到镍盘中，将盘放在石英或瓷制反应管内，在提纯的氮气流中慢慢地进行加热。氮化反应在820℃左右时发出白光迅速地进行。此时，必须大量通氮以防止反应管内出现减压。这个激烈的反应完毕后，在氮气流中冷却。由于产物内包有金属铝,可将其粉碎，并在氮气流中于1100～1200℃温度下再加热1～2h，即得到灰白色氮化铝。
另外，将铝在1200～1400℃下蒸发气化，使其与氮气反应即得到氮化铝的须状物(金属晶须)。此外,也有将AlCl3·NH3加成物进行热分解的制法。
3. 直接氮化法 将氮和铝直接进行氮化反应，经粉碎、分级制得。氮化铝产品质量受反应炉温、原料的预混合以及循环氮化铝粉末所占的混合比例、氮化铝比表面积等条件的影响。因此需严格控制工艺过程，得到稳定特性的氮化铝粉末(如比表面积、一次粒径、凝聚粒径、松密度和表面特性等)。
用途
氮化铝是良好的耐热冲击材料，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。
用途
导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属腐蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝和铝合金理想的坩埚材料。 应用如下： 1、 导热硅胶和导热环氧树脂 超高导热纳米复合硅胶具有良好的导热性， 良好的电绝缘性， 较宽的电绝缘性和使用温度（工作温度-60℃ --200℃）， 较低的稠度和良好的施工性能。产品已达或超过进口产品， 因为可取代同类进口产品而广泛应用于电子器件的热传递介质，提高工作效率。如CPU与散热器填隙、大功率三极管、可控硅元件、二极管、与基材接触的细缝处的热传递介质。纳米导热膏是填充IC或三极管与散热片之间的空隙，增大它们之间的接触面积，达到更好的散热效果。 2、纳米无机陶瓷车用润滑油及抗磨剂 纳米陶瓷机油中的纳米氮化铝陶瓷粒子随润滑油作用于发动机内部的摩擦副金属表面，在高温和极压的作用下被激活，并牢固渗嵌到金属表面凹痕和微孔中，修复受损表面，形成纳米陶瓷保护膜。因为这层膜的隔离作用，使机件间相对运动产生的摩擦只是作用于这层保护膜，纳米陶瓷粒子像小滚珠一样将摩擦副间的部分摩擦由传统的滑动摩擦转变为滚动摩擦，从而极大的降低摩擦力，将运动机件间的磨擦降至近乎零,对发动机起到超强的抗磨
安全说明
26-37/39-45-36/37/39
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